arm cortex上的18b20时序如何搞
发布时间:2010-06-13 21:49:14 文章来源:www.iduyao.cn 采编人员:星星草
arm cortex上的18b20时序怎么搞?
最近要基于arm cortex芯片对18b20进行编程,将温度显示在LCD上。我查了它的时序,按照时序写了程序,但在串口调试助手中显示的总是不对。读出来的9个字节每位全部是1,不知道该怎么办。各位大侠帮帮忙吧。
我写的部分代码是这样的:
//初始化函数initDs18b20()和写函数readByte()我都测试过,都是对的,但就是读的时候不对
//读时序
void writeByte(unsigned char dat)
{
unsigned char i;
for(i = 8; i > 0; i--)
{
configDs18b20Out();//配置寄存器,设置成输出
clearDQ();//拉低DQ
delayUs(3);
if(dat & 0x01)//如果数据为1,先拉低DQ,经过1us后再拉高DQ,然后再延时60us,因为写时间隙60us,为0的时候只需保持低电平即可
{
delayUs(1);
setDQ(); //拉高DQ
}
delayUs(80);//读周期是60us,我这里延时了80us
setDQ() ;//拉高DQ
dat >>= 1;
}
}
//写时序
unsigned char readByte()
{
unsigned int i;
unsigned char dat;
dat = 0;
for(i = 8; i > 0; i--)
{
dat>>=1;
configDs18b20Out();
clearDQ();//先拉低DQ
delayUs(3);
setDQ();//经过3us之后控制器释放数据总线
configDs18b20In();//配置寄存器,为输入
delayUs(15);
if(getDQ()!=0)
{
dat |= 0x80;
}
delayUs(70);
configDs18b20Out();
setDQ();//时间隙结束后拉高DQ
delayUs(2);//两个读时间隙之间要隔至少1us
}
return (dat);
}
float ds18b20GetValue()
{
int i;
unsigned char buf[2];//这里只读出前2个字节即可
float value;
unsigned int tempValue=0;
int flag;//标志正数或负数
configDs18b20Out();//先配置为输出
initDs18b20();//初始化,我测过我的初始化函数,是对的
writeByte(0xcc); //写入跳过序列号命令字 Skip Rom
writeByte(0x44); //写入温度转换命令字 Convert T
delayUs(1000000);//延时至少750ms
initDs18b20();
writeByte(0xcc);
writeByte(0xbe);//从暂存器中读东西
delayUs(10000);
for(i = 0; i < 2; i++)
buf[i] = readByte();
//就是在这个地方,输出的全是255
printf("buf[1]'s value is%d\n",buf[1]);
printf("buf[0]'s value is %d\n",buf[0]);
//下面是对读出来的2个字节的数据进行处理,变成float型
tempValue=buf[1];
tempValue<<8;
tempValue|=buf[0];
value=tempValue*0.0625;
value=value*10+0.5;
return value;
return value;
}
------解决方案--------------------
看datasheet
------解决方案--------------------
这个读写时序问题,得用示波器看看!
------解决方案--------------------
读写时序的时候,用个循环一直读或者写,然后用示波器观察就是了
------解决方案--------------------
将示波器波形和datasheet对照着看一下,另外检查下外部器件是否已正常上电工作,还有就是共地等细节的小问题。
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